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MMBFJ177LT1G中文资料

MMBFJ177LT1G图片

MMBFJ177LT1G外观图

  • 大小:45.12KB
  • 厂家:ONSEMI
  • 描述:ON Semiconductor [JFET Chopper P-Channel - Depletion]
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:JFET(结点场效应
  • 系列:-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss):-
  • 漏极电流 (Id) - 最大:-
  • FET 型:P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:800mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:11pF @ 10V(VGS)
  • 电阻 - RDS(开):300 欧姆
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装:带卷 (TR)
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大:225mW
  • 其它名称:MMBFJ177LT1GOSMMBFJ177LT1GOS-NDMMBFJ177LT1GOSTR

MMBFJ177LT1G供应商

更新时间:2023-01-19 14:01:02
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